Tesla Model 3 способствует переходу индустрии микросхем в эпоху пост-кремния.

Ветры в мировой индустрии микросхем меняются, и Tesla Model 3 вполне может стать одним из катализаторов надвигающегося сдвига. Tesla стала одним из первых автомобилестроительных предприятий, использующих чипы из карбида кремния (SiC) в серийных автомобилях. А включив чипы SiC в Model 3, американский автопроизводитель в конечном итоге придал материалу некоторый импульс в цепочке поставок электромобилей.

Использование Тесла карбида кремния в Model 3 было смелым шагом, учитывая, что кремний долгое время был предпочтительным материалом в полупроводниковой промышленности. С момента замены кристаллов германия в 1960-х годах кремний фактически открыл золотой век полупроводников. Но сегодня появились другие материалы, такие как карбид кремния, чтобы бросить вызов кремнию за его трон.

Карбид кремния содержит кремний и углерод, и с химическими связями, которые прочнее, чем в обычном кремнии, он занимает третье место в мире по твердости. Как отмечается в отчете Nikkei Asia, обработка карбида кремния требует передовых технологий, но его стабильность, среди других свойств, позволяет производителям микросхем снизить потери энергии более чем наполовину по сравнению с обычными кремниевыми пластинами. Чипы SiC также хорошо рассеивают тепло, открывая путь для инверторов меньшего размера.

Масаёси Ямамото, профессор Университета Нагоя в Японии, отметил, что эти преимущества хорошо представлены в конструкции Tesla Model 3. «Модель 3 имеет такой же низкий коэффициент сопротивления воздуха, как у спортивного автомобиля. Уменьшение размера инверторов позволило сделать его обтекаемый дизайн », — сказал Ямамото.

Безудержный успех Tesla Model 3 вызвал потрясение в индустрии микросхем. И эти ударные волны начали вызывать волну обязательств в отношении чипов из карбида кремния. Только в июне немецкий производитель микросхем Infineon Technologies представил модуль SiC для инверторов электромобилей. Позже Hyundai объявила, что эти SiC-чипы производства Infineon будут использоваться в ее электромобилях следующего поколения. Южнокорейский автопроизводитель добавил, что, используя чипы SiC Infineon, его электромобили могут увеличить дальность полета на 5% по сравнению с автомобилями, оснащенными простыми кремниевыми чипами.

Казухиде Ино, директор по стратегии японского производителя микросхем Rohm, отметил, что на данном этапе производители микросхем из карбида кремния достигли точки, когда они уже конкурируют друг с другом. «До сих пор производители микросхем работали вместе, чтобы создать рынок карбида кремния, но мы достигли стадии конкуренции друг с другом», — сказал он.

Французская исследовательская компания Yole Developpement отметила в своем прогнозе, что рынок чипов из карбида кремния, вероятно, вырастет в шесть раз к 2026 году по сравнению с 2020 годом. Это должно превратить сегмент чипов SiC в рынок с оборотом в 4,48 миллиарда долларов. Однако во многом это будет зависеть от того, удастся ли адекватно снизить производственные затраты на SiC-чипы, поскольку SiC-чипы все еще дороже обычных кремниевых чипов сегодня. При этом разрыв между кремнием и чипами SiC сокращается. Пять лет назад чипы SiC были примерно в 10 раз дороже традиционных кремний. Сегодня они всего в два раза дороже.

* Цитаты любезно предоставлены Nikkei Asia.

Не стесняйтесь обращаться к нам с советами по аккаунту. Просто отправьте сообщение []

Tesla Model 3 способствует переходу индустрии микросхем в эпоху пост-кремния.